高頻開(kāi)關(guān)電源功率因數(shù)校對(duì)的整流器及電感
電磁攪擾濾波器的常見(jiàn)共模扼流圈，有必要接受這有些電流，一起具有約10mH 高電感。商場(chǎng)上有一些扼流圈，具有高電流，高電感和小尺度的特徵，來(lái)自EPCOS 和TDK。扼流圈的實(shí)踐值和類(lèi)型由電磁攪擾測(cè)驗(yàn)斷定，依靠於作業(yè)條件，或許與濾波器有所不同。
與輸出串聯(lián)的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)約束了浪涌電流，但并非電源作業(yè)所真實(shí)需求的。
整流器依據(jù)IIn,RMS選定，但注意到高額定電流二極管通常在某一電流下具有更低的電壓降，運(yùn)用一個(gè)額定電流略高的整流橋是有利的。對(duì)於實(shí)踐規(guī)劃，挑選一個(gè)6A/800V橋GBU6K。
整流器功耗是可以估計(jì)的，通過(guò)一個(gè)穩(wěn)定正向電壓下已知的近似二極管正向特性乘以一個(gè)串聯(lián)電阻。正向電壓VF 和串聯(lián)電阻Rs 有必要從規(guī)范闡明書(shū)中查，對(duì)於GBU6K 分別是0.8V和0.03Ω。
在這個(gè)電流和5A/mm2的電流密度下，所需的銅線截面積約為0.58mm2。 由於高頻電流僅為輸入電流的20%，趨膚效應(yīng)和附近效應(yīng)不是很清晰。三或四條細(xì)電線并聯(lián)總面積可以到達(dá)所需面積就足夠了。在實(shí)踐規(guī)劃中，運(yùn)用了三根直徑為0.5mm的電線，電流密度略低於5A/mm2。L1 的磁環(huán)尺度依據(jù)被稱(chēng)為磁環(huán)區(qū)域乘積Ap斷定，即有用磁性截面積和繞組面積(骨架)的乘積。
一個(gè)適宜的磁環(huán)的Ae約為122mm2。盡管，要找到此磁截面的磁芯并不難，但電感的高度由於運(yùn)用需求被約束在25mm。因而，通過(guò)一番對(duì)磁環(huán)和筒管規(guī)范闡明書(shū)仔細(xì)搜索之後，挑選了EER3542，它的Ae為107mm2，AW為154mm2，得到AP約為16500mm4。
其間AL，0是無(wú)氣隙磁芯的AL(查磁芯規(guī)范書(shū))，有氣隙的磁芯的AL是1mH/1242=65nH。假如後兩個(gè)值的單位是nH，Ae 的單位是mm2，那麼氣隙長(zhǎng)度s 的單位是毫米。在這次規(guī)劃中，氣隙長(zhǎng)度約2 毫米。
由于最高額定輸入電壓是265VRMS，Q1的最大漏極電壓為500V 好像足夠了。可是主張運(yùn)用一個(gè)額定電壓為600V的MOSFET，由于經(jīng)歷顯現(xiàn)這個(gè)600V MOSFET，可以接受浪涌測(cè)驗(yàn)，依據(jù)無(wú)損壞IEC61000-4-5規(guī)范，而500V類(lèi)型則需求額定的浪涌電壓約束器。相同，這對(duì)於Boost二極管也是有用的。這是由于電解質(zhì)電容C5可以吸收很多能量，維護(hù)一個(gè)600V 器材，而不是500V器材。
特別對(duì)於MOSFET，低功耗和峰值電流是挑選某些器材的重要思考要素。通過(guò)一番核算，挑選了一個(gè)最大RDSon約為0.45Ω@100℃的SuperFetTM FCP16N60。
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